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存儲(chǔ)器芯片景氣或觸頂
摩根士丹利(Morgan Stanley,大摩)26日以明年存儲(chǔ)器芯片獲利或?qū)㈦y以繼續(xù)增長(zhǎng)為由,將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評(píng)等自“加碼”降至“中性權(quán)重”,目標(biāo)價(jià)下調(diào)3 4%至280萬韓元。大摩
2017-12-05
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RAM ROM SRAM DRAM 四種存儲(chǔ)器的優(yōu)缺點(diǎn)
RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按照需求隨便取出或存入,且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容,故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使
2017-12-05
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DDR5芯片與DDR、GDDR、LPDDR的對(duì)比
2017年3月,JEDEC協(xié)會(huì)宣布將在2018年正式發(fā)布DDR5的技術(shù)規(guī)范。目前,DDR5的規(guī)范制定已經(jīng)到0 5版本,會(huì)在DDR4的基礎(chǔ)上數(shù)據(jù)速率和密度再翻一倍,單顆粒容量可達(dá)32Gb,并預(yù)計(jì)會(huì)在2020年開始商用。
2017-12-04
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單片機(jī)的片內(nèi)存儲(chǔ)器跟片外存儲(chǔ)器的詳解
存儲(chǔ)器是單片機(jī)的又一個(gè)重要組成部分,下圖展示了一種存儲(chǔ)容量為256個(gè)單元的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)示意圖。其中每個(gè)存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)一個(gè)地址,256個(gè)單元共有256個(gè)地址,用兩位16進(jìn)制數(shù)表示,即存儲(chǔ)器的
2017-12-04
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內(nèi)存價(jià)格明年依舊持續(xù)維持高位
近一年多來,內(nèi)存價(jià)格一直居高不下,雖然這一段時(shí)間暫時(shí)有所平穩(wěn),漲價(jià)的勢(shì)頭似乎暫時(shí)被遏制住了,但想真正降價(jià)的話短期內(nèi)還是不可能的。
2017-12-01
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中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)趕超日本韓國
中國在大力發(fā)展半導(dǎo)體領(lǐng)域。國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)(SEMI)的統(tǒng)計(jì)顯示,在今年到2019年的3年里,中國計(jì)劃建設(shè)的半導(dǎo)體工廠有15家,比同期韓國(3家)、日本(4家)加起來還要多。
2017-12-01
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