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國產(chǎn)3D閃存SSD明年量產(chǎn)
長江存儲32層3DNAND芯片順利通過電學特性等各項指標測試，達到預(yù)期要求。預(yù)計2018年實現(xiàn)量產(chǎn)，并于2019年實現(xiàn)產(chǎn)能滿載。
2017-12-19
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今年半導(dǎo)體銷售額將首次達到4000億美元
市場受到內(nèi)存產(chǎn)品需求旺盛的推動持續(xù)增長，同時其他半導(dǎo)體產(chǎn)品的綜合銷售也大幅增長，今年市場的強勁幅度大家有目共睹。
2017-12-19
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明年蘋果和三星有望引領(lǐng)7nm芯片制造
據(jù)報道，因為成本問題，2018年應(yīng)該只有蘋果和三星這兩家智能手機廠商和有望引領(lǐng)7nm芯片制造，推出采用7nm芯片處理器的智能手機。
2017-12-18
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比NOR和NAND閃存快千倍的ReRAM在中國量產(chǎn)
內(nèi)存芯片設(shè)計公司Crossbar利用中芯國際的40納米工藝，成功做到ReRAM芯片量產(chǎn)，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫入速度比NAND閃存快1000倍。
2017-12-18
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三星發(fā)布512GB閃存芯片
隨著互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，手機的存儲技術(shù)對人們來說越來越重要，但之前，手機的存儲技術(shù)再好也比不上電腦。據(jù)報道，三星推出了512GB專用芯片，主要是為移動設(shè)備而開發(fā)，這也就說明在不久
2017-12-15
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3D NAND明年開始量產(chǎn)
固態(tài)硬盤終于要降價了，多年供不應(yīng)求的局面將會得到改善，預(yù)計明年年初為3D NAND開始走向正軌。
2017-12-14
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