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Cypress存取時(shí)間為10納秒的異步SRAM
Cypress16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個(gè)晶體管﹐采用6個(gè)晶體管存儲(chǔ)單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SRAM的后
2020-11-12
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超低功耗MCU如何降低功耗
低功耗是MCU的一項(xiàng)非常重要的指標(biāo),比如某些可穿戴的設(shè)備,其攜帶的電量有限,如果整個(gè)電路消耗的電量特別大就會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)電量不足的情況。
2020-11-11
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集成鐵電存儲(chǔ)器MCU為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供出色性能
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU,由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器,該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電
2020-11-10
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讀取優(yōu)先和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu)
MRAM寫(xiě)入操作的長(zhǎng)延時(shí)和較高的功耗成為其瓶頸,阻礙了其性能的進(jìn)一步提高。讀取優(yōu)先的寫(xiě)緩存器和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu)這兩種策略可以提高M(jìn)RAM的性能及降低其功耗。
2020-11-09
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磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM基本原理
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲(chǔ)器運(yùn)用于計(jì)算機(jī)
2020-11-06
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MRAM高速緩存的組成
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲(chǔ)器運(yùn)用于計(jì)算機(jī)
2020-11-05
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