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易失性存儲DRAM詳解
DRAM是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結構簡單,每
2020-12-08
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2020年第三季Nand Flash營收僅微幅上升0.3%
根據(jù)集邦咨詢旗下半導體研究處表示，第三季Nand Flash產(chǎn)業(yè)營收達145億美元，季增0 3%，其中位元出貨季增9%，平均銷售單價則季減9%。
2020-12-07
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非易失性Flash詳解
Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器，其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片
2020-12-04
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易失性存儲器SRAM基礎知識
存儲器概況存儲器是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲器按存儲特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導體
2020-12-03
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嵌入式STT-MRAM效應與流致反轉
最初的MRAM都是用微電磁線圈產(chǎn)生電磁場，使自由層的磁矩方向反轉來進行0、1數(shù)據(jù)的讀寫。這種復雜的結構大大地制約了MRAM存貯單元的微型化進程，因此當時MRAM的存貯密度遠遠不及DRAM和SRAM。
2020-12-02
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訪問SDRAM的低功耗優(yōu)化設計方案
為了降低DSP外部SDRAM存儲系統(tǒng)的功耗,針對DSP訪問片外SDRAM的功耗來源特點,提出了基于總線利用率動態(tài)監(jiān)測的讀寫歸并方案。該方案動態(tài)監(jiān)測外
2020-12-01
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