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通用選擇器將大大提高M(jìn)RAM存儲(chǔ)技術(shù)能力
MRAM存儲(chǔ)器可以抵抗高輻射，也可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得MRAM存儲(chǔ)器適用于汽車(chē)和工業(yè)，軍事和太空應(yīng)用，這些對(duì)于MRAM存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō)是重要的部分。
2020-10-09
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FRAM低功耗設(shè)計(jì)使寫(xiě)非易失性數(shù)據(jù)操作消耗更少的功耗
FRAM器件消耗的工作電流大約是EEPROM的1 3，而FRAM的待機(jī) 睡眠電流規(guī)格與EEPROM的待機(jī) 睡眠電流規(guī)格差不多。有功電流中的差異對(duì)功耗產(chǎn)生巨
2020-09-30
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新興記憶存儲(chǔ)MRAM保持精度并降低功耗
MRAM可以自然而然地在低電壓電平下引入誤碼率，從而在保持精度的同時(shí)進(jìn)一步降低了功耗要求。關(guān)鍵在于確定最低電壓和最短時(shí)間的最佳精度。這轉(zhuǎn)化為最高的能源效率。
2020-09-29
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Everspin MRAM替換FRAM
可靠性考慮比較FRAM架構(gòu)采用鐵電材料作為存儲(chǔ)器件，這些材料具有一個(gè)固有的電偶極子，該偶極子在外部電場(chǎng)的作用下轉(zhuǎn)換為相反的極性。 FRAM
2020-09-28
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實(shí)例說(shuō)明寫(xiě)入FRAM的零時(shí)鐘周期延遲的影響
一個(gè)典型的EEPROM需要5毫秒的寫(xiě)周期時(shí)間，以將其頁(yè)面數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到非易失性EEPROM內(nèi)。當(dāng)需要寫(xiě)入幾千字節(jié)的數(shù)據(jù)時(shí)，會(huì)導(dǎo)致寫(xiě)入時(shí)間較長(zhǎng)。相比之下的FRAM不會(huì)使這種寫(xiě)操作變慢;
2020-09-27
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為高性能FPGA平臺(tái)選擇合適的存儲(chǔ)器
從純技術(shù)角度考慮兩個(gè)最廣泛使用的DRAM選項(xiàng)-同步DRAM（SDRAM）和減少延遲的DRAM（RLDRAM）。SDRAM tRC在過(guò)去10年中沒(méi)有實(shí)質(zhì)性的發(fā)展，約為
2020-09-25
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