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非易失性MRAM四大優(yōu)點(diǎn)
MRAM的技術(shù)在學(xué)理上存取速度將超越DRAM達(dá)到接近SRAM，且斷電后資料不流失，早期由EVERSPIN公司開發(fā)，被視為下世代存儲器技術(shù)的重要的競爭者。
2019-12-16
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靈動(dòng)微MCU ARM Cortex-M3系列的測試
ARM Cortex-M系列微處理器主要用于低成本和低功耗領(lǐng)域，如智能測量、人機(jī)接口設(shè)備、汽車和工業(yè)控制系統(tǒng)、大型家用電器、消費(fèi)性產(chǎn)品和醫(yī)療器械等領(lǐng)域。ARMCortex-M3內(nèi)核搭載了若干種調(diào)試相關(guān)
2019-12-11
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MRAM迎來下一波存儲浪潮
MRAM的特性，包括低功耗以及持久性等，都是使得MRAM在許多應(yīng)用上擁有極高靈活性的主要原因。舉例子來說MRAM可用于極低功耗的設(shè)計(jì)，
2019-12-10
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非易失性MRAM架構(gòu)說明
正因?yàn)镾TT-MRAM是一種高性能的存儲器,足以挑戰(zhàn)現(xiàn)有的DRAM和SRAM等,因此非常有可能成為未來重要的存儲器技術(shù) 預(yù)計(jì)STT-MRAM可以擴(kuò)展至10nm以下制程,并挑戰(zhàn)快閃存儲器的更低成本
2019-12-09
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解決電機(jī)啟動(dòng)檢測難題的靈動(dòng)微MCU
對于電機(jī)控制方面來說的，所選用得MCU是尤為關(guān)鍵的,靈動(dòng)微MCU MM32SPIN是一款專用于電機(jī)控制及驅(qū)動(dòng)方面的MCU,產(chǎn)品使用高性能的ARM?Cortex?-M0為內(nèi)核的32位微控制器
2019-12-06
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非易失性MRAM三個(gè)主要的應(yīng)用市場
根據(jù)調(diào)查指出，包括車用市場以及物聯(lián)網(wǎng)等市場，都是MRAM成長動(dòng)能最高的領(lǐng)域。許多專家都預(yù)言，MRAM將帶來下一次的儲存浪潮。MRAM的主要特性
2019-12-05
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