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三星預(yù)計2020年MRAM達(dá)到16nm
MRAM研發(fā)的挑戰(zhàn)一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在制程上的努力之外,機(jī)器設(shè)備廠商也出力甚多,這是幾家大機(jī)器設(shè)備廠商先后投入這即將興起設(shè)備市場良性競爭的結(jié)果。
2020-01-19
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可穿戴電子設(shè)備中的SRAM
在所有可用的存儲器中,SRAM是用作外部高速緩存的最佳選擇。因為它與DRAM相比待機(jī)電流消耗較低,而且其存取時間也比DRAM和閃存更短。
2020-01-17
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存儲器SRAM仍是主流市場
低功耗SRAM存儲芯片,屬于靜態(tài)隨機(jī)存儲器芯片,產(chǎn)品的容量范圍為1 4 8 16Mb,常用容量為8Mb,電壓范圍在1 8V 3 3V 5V ,部分器件有寬電壓的電壓范圍,速度在44 55 75ns
2020-01-16
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MCU軟件技術(shù)必將迎來新的發(fā)展浪潮
MCU軟件開發(fā)主流平臺KEIL將自己的和第三方提供的中間件集成在同一開發(fā)平臺上。MCU軟件開發(fā)時,只需要將這些中間件集成到自己的軟件中,就可實現(xiàn)相應(yīng)的功能。
2020-01-15
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ST-MRAM類別及發(fā)展由來
隨著自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)以及材料和結(jié)構(gòu)的優(yōu)化,基于自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的STT-MRAM器件應(yīng)運而生。自從自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)被證實以來,一方面研究人員通過大量的努力嘗試降低磁化反轉(zhuǎn)的臨界電流
2020-01-14
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SRAM回歸主流嵌入式設(shè)計
SRAM不僅成本效益更高,而且還是技術(shù)一流的解決方案。與外部SRAM相比,嵌入式SRAM的存取時間更為出色,要知道對于高速緩存存儲器而言,存取時間是最關(guān)鍵的因素。
2020-01-13
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