MRAM的特性，包括低功耗以及持久性等，都是使得MRAM在許多應(yīng)用上擁有極高靈活性的主要原因。舉例子來說MRAM可用于極低功耗的設(shè)計，例如穿戴式設(shè)備上，如智慧標(biāo)簽或追蹤器等，另外包括邊際運算和云端應(yīng)用等，也都能夠滿足其性能上的需求。

MRAM具有旋轉(zhuǎn)的特性，電子的旋轉(zhuǎn)透過施加的電流來改變其方向，其方向變化的時間具有量子特性，這取決于旋轉(zhuǎn)的角度而定。STT-MRAM也容易出現(xiàn)變化，這可能會導(dǎo)致一些可靠性問題。STT-MRAM面臨的最大挑戰(zhàn)是所謂的讀取干擾。另一個問題在于制程。今天業(yè)界正在開發(fā)28nm或22nm的MRAM。STT-MRAM技術(shù)可以從2xnm節(jié)點擴(kuò)展到1xnm節(jié)點，這是沒有任何疑問的。然而是否可以持續(xù)擴(kuò)展到7nm或者5nm，則還有待觀察。

盡管如此STT-MRAM的發(fā)展腳步毫無減緩的跡象，并瞄準(zhǔn)兩大應(yīng)用領(lǐng)域，分別是嵌入式存儲器和獨立存儲器。目前有些廠商專注于發(fā)展嵌入式非易失性MRAM。舉個例子來說明其重要性，通常MCU會在同一芯片上整合多種元件，例如運算單元、sram和嵌入式快閃存儲器。而這種嵌入式快閃存儲器具備NOR的非揮發(fā)特性，這種NOR快閃存儲器通常都用來作為程式代碼的儲存用途。

目前業(yè)界已推出采用嵌入式NOR快閃存儲器的28納米MCU產(chǎn)品，至于研發(fā)階段的已有廠商開始采用16nm或14nm的芯片。然而有些專家認(rèn)為要在28nm以下制程范圍來擴(kuò)展嵌入式NOR快閃存儲器有其困難，許多人認(rèn)為28nm或22nm將成為這種快閃存儲器的極限，原因在于過高的成本將限制其市場接受度。


而這就是嵌入式STT-MRAM適用的地方。它適用于取代28nm或22nm甚至以上的嵌入式NOR快閃存儲器。除了這個優(yōu)點之外，STT-MRAM還可以替代或增強MCU、微處理器或SoC系統(tǒng)中的SRAM。

專家預(yù)言表示，非易失性MRAM將帶來下一波的儲存浪潮。非易失性MRAM的特性，包括低功耗以及持久性等，使其在許多應(yīng)用上擁有極高靈活性。
 
 關(guān)鍵詞：MRAM