偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片（Psram）
PSRAM采用的是1T+1C的技術(shù),所以在體積上更小,
同時(shí),PSRAM的I/O接口與SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。
比較于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。
由SPI、Quad SPI (QPI) 和Octal SPI (OPI)幾種串行接口，用于需要小型化的場(chǎng)合，
能夠提供帶寬范圍從100Mbps ~ 2.128Gbps的大范圍。
PSRAM采用的是1T+1C的技術(shù),所以在體積上更小,
同時(shí),PSRAM的I/O接口與SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。
比較于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。
由SPI、Quad SPI (QPI) 和Octal SPI (OPI)幾種串行接口，用于需要小型化的場(chǎng)合，
能夠提供帶寬范圍從100Mbps ~ 2.128Gbps的大范圍。
華邦核心產(chǎn)品包含閃存（Code Storage Flash Memory）、利基型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（Specialty DRAM）及移動(dòng)隨機(jī)存取內(nèi)存（Mobile DRAM），以下產(chǎn)品為
