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?彌補現有MRAM的不足
對于長期處于困境的MRAM行業(yè)來說，自旋注人方式可以說是一項能夠扭轉危機的革新技術。MRAM轟轟烈烈地問世。但此后，MRAM在工藝發(fā)展和大容量
2021-01-21
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將賽普拉斯nvSRAM替換為MRAM
本章節(jié)對賽普拉斯 4 Mbit（256K x 16）nvSRAM 和 MRAM器件分別在 44 引腳 TSOP-II（薄小外型封裝-II 類型）和 48球型焊盤 FBGA
2021-01-20
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PSRAM在數據緩沖應用中可以取代SRAM或SDRAM
PSRAM它具有類SRAM的接口協議：給出地址、讀、寫命令，就可以實現存取，不像DRAM需要memory controller來控制內存單元定期數據刷新，因此
2021-01-19
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?ISSI代理stm32擴展sram芯片IS62WV51216EBLL
IS62WV51216EBLL是高速8M位sram，組織為512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設計技術，可生產出
2021-01-15
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?Everspin MRAM常見問題解答
Everspin Technologies，Inc是設計制造MRAM和STT-MRAM的全球領導者其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。Eve
2021-01-14
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帶有ECC的異步SRAM存儲器適用于各種應用
賽普拉斯憑借可服務于各種高可靠性工業(yè)，通信，數據處理，醫(yī)療，消費和軍事應用的性能，快速SRAM器件可提供片上ECC。這些器件具有與老一代
2021-01-13
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