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串行SPI NOR閃存VS并行NOR閃存
NOR閃存由于其可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)而已在嵌入式設(shè)備中廣泛使用了很長(zhǎng)時(shí)間。對(duì)于某些低功耗應(yīng)用,串行SPI NOR閃存變得比并行NOR閃存設(shè)備更受歡迎
2021-01-29
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非易失性存儲(chǔ)器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)
在嵌入式系統(tǒng)中,F(xiàn)lash和EEPROM能夠存儲(chǔ)可用于通信或執(zhí)行某些功能的數(shù)據(jù)。它們可以通過(guò)多種不同的串行協(xié)議(包括SPI或串行外圍設(shè)備接口)來(lái)
2021-01-28
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為何要使用MCU
為什么很多電器設(shè)備都要使用MCU呢?讓我們用一個(gè)點(diǎn)亮LED的電路為例,來(lái)說(shuō)明。如下圖所示,不使用MCU的電路是一個(gè)由LED,開(kāi)關(guān)和電阻構(gòu)成的簡(jiǎn)
2021-01-27
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Nand Flash控制器將上漲約15~20%
集邦咨詢(xún):上游晶圓代工產(chǎn)能緊缺,NandFlash控制器將上漲約15~20%根據(jù)集邦咨詢(xún)旗下半導(dǎo)體研究處調(diào)查顯示,受限于上游臺(tái)積電與聯(lián)電等晶圓代
2021-01-26
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DRAM存儲(chǔ)器漲跌有別
針對(duì)近期各家外資紛紛看好存儲(chǔ)器的前景,預(yù)計(jì)存儲(chǔ)器將自2021年首季開(kāi)始迎接新的成長(zhǎng)周期,且時(shí)間將持續(xù)至2022年中。同時(shí)存儲(chǔ)器市場(chǎng)方面,雖
2021-01-25
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MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車(chē)載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器,因此有可能會(huì)贏(yíng)得巨大的市
2021-01-22
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