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FRAM的讀寫操作
FRAM保存數(shù)據(jù)不是通過電容上的電荷，而是由存儲單元電容中鐵電晶體的中心原子位置進行記錄。直接對中心原子的位置進行檢測是不能實現(xiàn)的
2024-03-15
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MM32SPIN0230電動工具無感方波硬件設(shè)計方案
本篇文章基于靈動微電子32位微處理器MM32SPIN0230的BLDC電動工具無感方波控制方案的硬件設(shè)計說明。 硬件參考設(shè)計 •電源模塊：
2024-03-07
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新型存儲器從理論走向?qū)崙?zhàn)
物聯(lián)網(wǎng)、人工智能的發(fā)展讓信息量呈現(xiàn)爆炸式增長，所有資料都必須在從邊緣到云端的多個層級上進行收集、處理和傳輸、存儲和分析。但另一
2024-03-05
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MRAM相對于競爭對手具有重大優(yōu)勢
雖然鐵電存儲器以寫入周期快而聞名，但不能保證它最終會占上風(fēng)。這是因為MRAM、FERAM和ReRAM等多種新型內(nèi)存技術(shù)都在競相取代SRAM、NOR
2024-02-27
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MRAM的主要應(yīng)用市場
MRAM在邊緣方面展現(xiàn)出獨特的優(yōu)勢。邊緣計算在工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、機器人、可穿戴設(shè)備、人工智能、汽車以及便攜式設(shè)計等領(lǐng)域的應(yīng)用正在不斷增長
2024-02-21
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2023年全球半導(dǎo)體收入減少11%
2023年全球半導(dǎo)體總收入為5330億美元，較2022年下降11 1%。2023年存儲器收入下降37%，是半導(dǎo)體市場降幅最大的領(lǐng)域；非存儲器收入表現(xiàn)相
2024-01-29
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