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三星電子的核心MRAM技術(shù)
三星的 eMRAM 和 MRAM 目前都是下一代內(nèi)存創(chuàng)新的核心。自 2019 年 3 月基于 28 納米（nm）全耗盡絕緣體硅（FD-SOI）工藝的
2023-11-15
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高速吹風(fēng)機方案低成本主控單片機芯片
介紹一款應(yīng)用在高速吹風(fēng)機上的主控單片機芯片MM32SPIN0230,MM32SPIN0230系列是靈動微電子MindSPIN高性能單電機控制產(chǎn)品，采用M0內(nèi)核，
2023-11-13
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三星電子預(yù)計存儲芯片市場2024年復(fù)蘇
三星電子公布了截至2023年9月30日的第三季度財務(wù)業(yè)績。報告期內(nèi)，三星電子實現(xiàn)合并總營收67 4萬億韓元，環(huán)比增長12%，負責(zé)半導(dǎo)體的設(shè)備
2023-11-09
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靈動微電子股份Arm Cortex-M0內(nèi)核微控制器的自診斷庫
靈動微電子Arm Cortex-M0內(nèi)核微控制器的自診斷庫適用于 MM32 Cortex®-M0 系列的32位微控制器，提供 Class B 自檢功能，包括
2023-10-26
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汽車MRAM存儲芯片MR25H10
Everspin存儲芯片MR25H10是一個1048576位的磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設(shè)備，被組織為8位的131072個字。MR25H10提供串行EEPROM和串行閃
2023-10-24
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DDR5超高速性能背后的設(shè)計挑戰(zhàn)
2020年7月，DDR5內(nèi)存技術(shù)標準正式發(fā)布，標志著內(nèi)存技術(shù)開啟了新的篇章。DDR5以更高的帶寬和性能吸引了廣泛的關(guān)注。與之前的DDR4相比，D
2023-10-20
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