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替代型存儲(chǔ)器崛起
CPU供應(yīng)商預(yù)計(jì)將使其處理器的DDR通道數(shù)從12個(gè)增加到16個(gè)通道，因此可能使主存儲(chǔ)器的容量從現(xiàn)有的64GB提高到128GB。
2017-11-29
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存儲(chǔ)器世代即將來到DDR5 (第五代雙倍數(shù)據(jù)率)的時(shí)代
存儲(chǔ)器頻寬與密度都比目前DDR4更高2倍的DDR5存儲(chǔ)器介面芯片研發(fā)成功，預(yù)計(jì)最快在2019年量產(chǎn)，將為服務(wù)器的主存儲(chǔ)器帶來更高效能與功率管理…
2017-11-29
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三星斥巨資 欲抑制中國存儲(chǔ)器發(fā)展
IC Insights估計(jì)，今年三星260億美元的半導(dǎo)體支出將分成幾部分： 3D NAND閃存：140億美元（包括在平澤工廠的產(chǎn)能大幅增長） DRAM：70億美元（用于流程遷移和彌補(bǔ)由于遷移造成的容量損失的額外
2017-11-28
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三星斥巨資投入至半導(dǎo)體行業(yè)
據(jù)悉，今年三星豪擲260億美元至半導(dǎo)體行業(yè)，被稱為半導(dǎo)體史上最大的投資額度。三星的巨額投資將會(huì)影響該行業(yè)未來的格局，或有可能影響中國儲(chǔ)存器廠商的發(fā)展。
2017-11-28
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NAND FLASH供貨緩解或?qū)⒃?018年第二季度
由于技術(shù)轉(zhuǎn)換，2D NAND產(chǎn)量縮小，以及3D NAND爬坡使得NAND Flash貨源不足，價(jià)格瘋漲。消費(fèi)類閃存產(chǎn)品每GB的單價(jià)從2016年0 12美元上漲到0 3美元以上，主流的eMMC產(chǎn)品上漲幅度超過60%，SSD產(chǎn)品超過80%。J
2017-11-27
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美光64層3D NAND后將超過72層數(shù)
近兩年，幾大存儲(chǔ)芯片廠商皆在由2D NAND轉(zhuǎn)向3D NAND，美光的3D NAND Flash在2016年底量產(chǎn)，第二代64層3D NAND于2017年進(jìn)入量產(chǎn)，由32層32GB開始做起，現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展到64層64GB。美光副總裁Jonathan Shaw表示，
2017-11-27
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