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明年蘋果和三星有望引領(lǐng)7nm芯片制造
據(jù)報道，因為成本問題，2018年應(yīng)該只有蘋果和三星這兩家智能手機(jī)廠商和有望引領(lǐng)7nm芯片制造，推出采用7nm芯片處理器的智能手機(jī)。
2017-12-18
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比NOR和NAND閃存快千倍的ReRAM在中國量產(chǎn)
內(nèi)存芯片設(shè)計公司Crossbar利用中芯國際的40納米工藝，成功做到ReRAM芯片量產(chǎn)，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫入速度比NAND閃存快1000倍。
2017-12-18
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三星發(fā)布512GB閃存芯片
隨著互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，手機(jī)的存儲技術(shù)對人們來說越來越重要，但之前，手機(jī)的存儲技術(shù)再好也比不上電腦。據(jù)報道，三星推出了512GB專用芯片，主要是為移動設(shè)備而開發(fā)，這也就說明在不久
2017-12-15
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3D NAND明年開始量產(chǎn)
固態(tài)硬盤終于要降價了，多年供不應(yīng)求的局面將會得到改善，預(yù)計明年年初為3D NAND開始走向正軌。
2017-12-14
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三星量產(chǎn)第2代10nm FinFET
三星近日宣布開始大規(guī)模量產(chǎn)以第2代10nm FinFET制程技術(shù)(10LPP)為基礎(chǔ)的單芯片系統(tǒng)(SoC)產(chǎn)品，其搭配該單芯片系統(tǒng)的電子產(chǎn)品，也預(yù)計將在2018年第一季問市。
2017-12-12
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DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)公布
據(jù)報道，Rambus首次公布HBM3 DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)，最大的關(guān)注點在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被業(yè)界認(rèn)為是極限，因為到了7nm節(jié)點即使是finfet也不能夠在保證性能的同時抑制漏電。所以工業(yè)界用砷
2017-12-08
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