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關(guān)于如何提高SRAM存儲(chǔ)器的新方法
SRAM是當(dāng)今處理器上最普遍的內(nèi)存。當(dāng)芯片制造商宣布他們已經(jīng)成功地將更多的電路封裝到芯片上時(shí)，通常是較小的晶體管引起了人們的注意。但是
2020-05-09
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SRAM中靈敏放大器的原理
在SRAM 中，讀操作開(kāi)始前，先要對(duì)兩條位線進(jìn)行預(yù)充電，將兩條位線初始化為相同的高電平。預(yù)充完后，字線選中的存儲(chǔ)單元對(duì)位線進(jìn)行充放電。
2020-05-08
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鐵電RAM的優(yōu)勢(shì)
隨著使鐵電存儲(chǔ)器FRAM的非揮發(fā)性，利用晶體的偏振提供了許多優(yōu)于基于電荷的存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)（見(jiàn)表1）。因?yàn)樗苊饬烁偶夹g(shù)的潛在的降解效
2020-05-07
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鐵電存儲(chǔ)器FRAM的結(jié)構(gòu)及特長(zhǎng)
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)
2020-05-06
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STM32單片機(jī)擴(kuò)展外部SRAM
IS62WV51216使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴(kuò)展存儲(chǔ)器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲(chǔ)器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問(wèn)高字節(jié)（UB）和低字節(jié)（LB）
2020-04-30
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存儲(chǔ)單元分類
靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲(chǔ)單元。通過(guò)升高字線的電平觸發(fā)存儲(chǔ)單元，再通過(guò)位線對(duì)所觸發(fā)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭?。在靜態(tài)CMOS存儲(chǔ)器中
2020-04-29
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