穆桂英,欧美极品美女被狂操 乂乂BB,av成人不久久,精东影业一级毛片高清免费看
產(chǎn)品中心
靜態(tài)隨機(jī)SRAM
低功耗LPSRAM
Serial RAM
異步快速Async Fast
國產(chǎn)SRAM芯片
偽靜態(tài)隨機(jī)pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
鐵電存儲器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步動態(tài)SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
內(nèi)存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制層芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制單片機(jī)MCU
32位單片機(jī)MCU
案例&資訊
行業(yè)案例
資訊動態(tài)
關(guān)于我們
關(guān)于宇芯
組織架構(gòu)圖
聯(lián)系我們
聯(lián)系我們
郵箱：
sales@wridy.com
首頁
網(wǎng)站地圖
EN
案例&資訊
行業(yè)案例
>
資訊動態(tài)
>
案例&資訊
主頁 > 案例&資訊
ISSI正規(guī)代理高速低功耗SRAM芯片IS62WV102416ALL
ISSI為汽車，數(shù)字消費者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場設(shè)計。其主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM存儲器。還設(shè)計和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及
2020-06-03
查看詳情 >
低電壓SRAM的重要性
隨著SOC 技術(shù)的發(fā)展，CMOS 工藝尺寸不斷縮小，芯片集成度越來越高，使得單位面積芯片的功耗不斷提高。近年來，便攜式電子產(chǎn)品如智能手機(jī)
2020-06-02
查看詳情 >
Everspin MRAM技術(shù)的可靠性
與大多數(shù)其他半導(dǎo)體存儲技術(shù)不同，數(shù)據(jù)存儲為磁性狀態(tài)而不是電荷，并通過測量電阻來感測而不干擾磁性狀態(tài)。使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲有兩個主要
2020-06-01
查看詳情 >
ISSI IS62WV20488EALL低電壓2Mx8并口SRAM
ISSI IS62WV20488EALL BL和IS65WV20488EALL BLL是高速16M位靜態(tài)RAM，組織為2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度
2020-05-29
查看詳情 >
SRAM電路工作原理
近年來，片上存儲器發(fā)展迅速，根據(jù)國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖（ITRS），隨著超深亞微米制造工藝的成熟和納米工藝的發(fā)展，晶體管特征尺寸進(jìn)一步縮
2020-05-28
查看詳情 >
低功耗SRAM主要三部分功耗來源
隨著SOC 技術(shù)的迅猛發(fā)展，由電池供電的便攜式電子產(chǎn)品得到了廣泛應(yīng)用，如智能手機(jī)、運動手環(huán)、ipad、部分汽車電子等。近年來半導(dǎo)體工藝已
2020-05-27
查看詳情 >
937條
上一頁
1
..
99
100
101
102
103
104
105
106
107
..
157
下一頁
友情鏈接
大型鹽霧試驗箱廠家
拉力計
氮化鎵芯片
智慧工業(yè)園
官方微博
阿里巴巴
微信公眾號
宇芯有限公司W(wǎng)ridy company limited
產(chǎn)品中心
靜態(tài)隨機(jī)SRAM
偽靜態(tài)隨機(jī)pSRAM
磁性非易失MRAM
鐵電存儲器FeRAM
非易失性NV-SRAM
同步動態(tài)SDRAM
內(nèi)存Flash
多制層芯片MCP
Microcontroller
案例&資訊
行業(yè)案例
資訊動態(tài)
關(guān)于我們
關(guān)于宇芯
組織架構(gòu)圖
聯(lián)系我們
聯(lián)系我們
在線客服
2207232297
聯(lián)系電話
18926554009
