MRAM場合應用的例子
來源：宇芯有限公司 日期：2020-02-17 10:24:09
MRAM目前處于鎖定三大技術的早期階段：其一是作為非揮發(fā)性存儲器(NVM)領域的替代方案，特別是嵌入式NOR flash。此外它還可以作為傳統(tǒng)CMOS高速嵌入式靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)的替代技術。我認為這項技術更適于在此領域?qū)崿F(xiàn)差異化。第三是作為DRAM的替代技術。目前DRAM市場成長開始趨緩，未來可能會由特別有利于儲存應用的持久特性主導市場成長。
至今許多采用MRAM的場合都離不開儲存應用。是否還有其他細分市場存在新應用的例子？
在手機中有幾個地方需要超過200Mb的靜態(tài)存儲器，而當你嘗試使用SRAM時，就會發(fā)現(xiàn)那真的是在燒錢。降低靜態(tài)存儲器的成本看來勢在必行，再者因為它用在行動裝置中，所以對于功耗也十分敏感。40nm以下的傳統(tǒng)解決方案由于漏電流之故而經(jīng)常耗用較大電源。如今以MRAM取代SRAM幾乎可完全排除漏電流的問題。
此外，為使用中的資料提供保護方面也是一大挑戰(zhàn)。許多應用都需要高頻寬，高速資料經(jīng)由系統(tǒng)傳送的同時，也進入其永久儲存的位置。在資料順利傳送到安全可靠的最終存放位置以前，如果發(fā)生了危及資料的故障情況會很麻煩，這正是MRAM得以發(fā)揮作用之處。宇芯有限公司
everspin代理 MRAM芯片,不同容量大小，并提供技術支持
Everspin MRAM芯片型號
|
型號 |
容量 |
位寬 |
電壓(V) |
溫度 |
封裝 |
MOQ /卷帶 |
| MR25H40CDC |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃to+85℃ |
8-DFN |
4,000 |
| MR20H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
| MR25H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
| MR25H40MDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
| MR25H10CDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
4,000 |
| MR25H10MDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
4,000 |
| MR25H10CDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
| MR25H10MDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
關鍵詞：MRAM
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