賽普拉斯的F-RAM是業(yè)內能效最高的NVRAM技術，具有可以說是無限次的100萬億次讀寫耐久性。F-RAM 存儲單元中的鐵電材料可抵御由輻射或磁場導致的數(shù)據(jù)損壞，所以能夠為醫(yī)療、航天和國防應用提供軟錯誤免疫能力。賽普拉斯的nvSRAM是業(yè)內速度最快的NVRAM技術，存取時間低至20 ns。它具有非易失性數(shù)據(jù)保留功能，而且不需要額外的電池，同時提供無限的耐久性。

賽普拉斯非易失性產品事業(yè)部高級主管Sonal Chandrasekharan表示：“為NVRAM產品組合提供晶圓銷售進一步滿足了客戶的廣泛需求，客戶現(xiàn)在可以在滿足具體應用的封裝規(guī)格的同時，充分利用nvSRAM的高性能或F-RAM的高能效優(yōu)勢。”

 

關于賽普拉斯的nvSRAM

賽普拉斯的nvSRAM系采用存儲在外部電容器中的電荷，而非電池，從而使這一器件適合于標準的PCB流水線生產。賽普拉斯的nvSRAM符合ROHS標準，可以直接替代SRAM和依靠電池供電的SRAM(BBSRAM)產品，提供快速非易失性數(shù)據(jù)存儲能力。當發(fā)生斷電的時候，數(shù)據(jù)可自動從SRAM傳輸?shù)椒且资詥卧?。加電之后，?shù)據(jù)可從非易失性存儲器中恢復至SRAM。在工業(yè)、網絡、計算和RAID應用中，nvSRAM提供了高速數(shù)據(jù)傳輸性能，并在斷電的時候，無需電池即可保證數(shù)據(jù)的完整性。

關鍵詞：CYPRESS     nvSRAM

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