PROM、EEPROM、FLASH的區(qū)別
來源：宇芯有限公司 日期：2017-10-30 11:08:35
EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個(gè)附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結(jié)構(gòu)，所以可以單元讀/寫。技術(shù)上，F(xiàn)LASH是結(jié)合EPROM和EEPROM技術(shù)達(dá)到的，很多FLASH使用雪崩熱電子注入方式來編程，擦除和EEPROM一樣用 Fowler-Nordheim tuneling。但主要的不同是，F(xiàn)LASH對(duì)芯片提供大塊或整塊的擦除，這就降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，它可以不要 EEPROM單元里那個(gè)多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮柵工藝上也不同，寫入速度更快。 其實(shí)對(duì)于用戶來說，EEPROM和FLASH 的最主要的區(qū)別就是：
1、EEPROM 可以按“位”擦寫，而FLASH 只能按“塊”一大片一大片的擦寫。
2、EEPROM 一般容量都不大，如果大的話，EEPROM相對(duì)與FLASH 就沒有價(jià)格上的優(yōu)勢了。市面上賣的stand alone 的EERPOM 一般都是在64KBIT 以下，而FLASH 一般都是8MEG BIT 以上(NOR 型)。
3、讀的速度的話，應(yīng)該不是兩者的差別，只是EERPOM一般用于低端產(chǎn)品，讀的速度不需要那么快，真要做的話，其實(shí)也是可以做的和FLASH差不多。
4、因?yàn)镋EPROM的存儲(chǔ)單元是兩個(gè)管子，而FLASH 是一個(gè)(SST的除外，類似于兩管)，所以CYCLING 的話，EEPROM比FLASH 要好一些，到1000K次也沒有問題的。
總的來說，對(duì)于用戶來說，EEPROM和 FLASH沒有大的區(qū)別，只是EEPROM是低端產(chǎn)品，容量低，價(jià)格便宜，但是穩(wěn)定性較FLASH要好一些。
但對(duì)于EEPROM和FLASH的設(shè)計(jì)來說，F(xiàn)LASH則要難的多，不論是從工藝上的還是從外圍電路設(shè)計(jì)上來說。
關(guān)鍵詞：
FLASH
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