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RRAM芯片的優(yōu)勢
RRAM不是目前唯一的存儲器改進(jìn)。將來可以與NAND和DRAM對抗的其他形式的非易失性存儲器包括Everspin的磁阻RAM（MRAM）和相變存儲器（PCM），這是三星和美光正在追求的存儲器類型。還有賽道存儲器
2018-03-27
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SSD價(jià)格不降反升
SSD剛剛開始有點(diǎn)供過于求的跡象，三星的工廠上周由于意外停電導(dǎo)致6千片晶圓報(bào)廢，目前看來降價(jià)的美夢是破滅了。其實(shí)在2017年，漲價(jià)勢頭更猛的其實(shí)是內(nèi)存，且到目前為止，內(nèi)存價(jià)格依然沒
2018-03-27
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RRAM和3D NAND性能介紹
在存儲器性能和存儲容量方面來說，RRAM和3D NAND都代表著一個(gè)巨大的飛躍。和今天的平面NAND閃存相比，Crossbar的RRAM確保了20倍的寫性能和10倍的耐久性。Minassian說，像3DNAND一樣，RRAM存儲器進(jìn)行芯
2018-03-26
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兩種新型存儲器技術(shù)誰更勝一籌？
三星宣布其正在批量生產(chǎn)三維（3D）垂直NAND（V-NAND）芯片；接著創(chuàng)業(yè)公司Crossbar表示已經(jīng)創(chuàng)建了一個(gè)電阻隨機(jī)存取存儲器（RRAM）芯片的原型。
2018-03-26
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可穿戴設(shè)備選擇適當(dāng)?shù)膽?yīng)用處理器或微控制器
除了需要應(yīng)用處理器的高級信息娛樂設(shè)備之外，MCU完全可以滿足大多數(shù)可穿戴設(shè)備的需求。此外，最新MCU可在單個(gè)芯片中集成大部分功能。這對于降低可穿戴設(shè)備的整體尺寸和BOM成本都有至關(guān)重
2018-03-23
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DDR內(nèi)存就快被淘汰了？
這一年來有關(guān)國內(nèi)公司進(jìn)軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息鬧得滿城風(fēng)雨，紫光公司憑借原有的英飛凌、奇夢達(dá)基礎(chǔ)在DDR3內(nèi)存上已經(jīng)有了新突破，小批量生產(chǎn)了DDR3內(nèi)存，下半年會接著推出更主流的DDR4內(nèi)存芯片
2018-03-23
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