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易失性存儲(chǔ)器SRAM基礎(chǔ)知識(shí)
存儲(chǔ)器概況存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，主要是用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體
2020-12-03
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訪問SDRAM的低功耗優(yōu)化設(shè)計(jì)方案
為了降低DSP外部SDRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)的功耗,針對(duì)DSP訪問片外SDRAM的功耗來(lái)源特點(diǎn),提出了基于總線利用率動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)的讀寫歸并方案。該方案動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)外
2020-12-01
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SDRAM功耗來(lái)源
在現(xiàn)代的通信及基于FPGA的圖像數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中,經(jīng)常要用到大容量和高速度的存儲(chǔ)器。SDRAM有一個(gè)同步接口，在響應(yīng)控制輸入前會(huì)等待一個(gè)時(shí)鐘信
2020-11-27
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Nand Flash結(jié)構(gòu)及錯(cuò)誤機(jī)制
Nand Flash是一種非易失性存儲(chǔ)器,具有讀寫速度快 功耗低 存儲(chǔ)密度高等優(yōu)點(diǎn),目前被廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中,如固態(tài)硬盤( SSD)、手機(jī)、數(shù)碼相
2020-11-25
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通用存儲(chǔ)器MRAM的概念
MRAM是磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Magneto-resistiveRandom Access Memory )的縮寫。MRAM是一種非揮發(fā)性電腦存儲(chǔ)器( NVRAM )技術(shù)，從20世紀(jì)
2020-11-23
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新興存儲(chǔ)器鐵電RAM嵌入式應(yīng)用
存儲(chǔ)器IC市場(chǎng)一直是動(dòng)態(tài)的，但是隨著邊緣計(jì)算，人工智能（AI），5G和自動(dòng)駕駛的興起，對(duì)存儲(chǔ)器技術(shù)的需求正在不斷擴(kuò)大和發(fā)展。由于持續(xù)的大
2020-11-19
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