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新型存儲(chǔ)器RRAM的最新動(dòng)態(tài)
目前業(yè)界新型存儲(chǔ)器主要有4種，相變存儲(chǔ)器（PCM）、阻變存儲(chǔ)器（ReRAM）、鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）、磁性存儲(chǔ)器（MRAM）。從當(dāng)前各類存儲(chǔ)技術(shù)的
2022-12-02
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SRAM和DRAM主要差異
SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）由CMOS技術(shù)組成，使用六個(gè)晶體管。它的結(jié)構(gòu)由兩個(gè)交叉耦合的反相器組成，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)（二進(jìn)制），類似于觸發(fā)器
2022-11-25
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靈動(dòng)微電子MM32F5270系列MCU優(yōu)勢(shì)
靈動(dòng)微電子MM32F5270系列是靈動(dòng)最新推出的性能型32位MCU產(chǎn)品系列，該系列采用了安謀科技出品的STAR-MC1內(nèi)核，該內(nèi)核基于Armv8-M架構(gòu)實(shí)現(xiàn)，C
2022-11-14
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三星236層3D NAND量產(chǎn)
三星已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)其大概為236層的3DNAND存儲(chǔ)器，命名為第8代V-NAND。新IC具有2400MTps的傳輸速度，當(dāng)與高級(jí)控制器結(jié)合使用時(shí)，它們可以
2022-11-07
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偉凌創(chuàng)芯SCLPSRAC1存儲(chǔ)器SRAM替換IS62WVS0648FBLL
ISSI是一家專注于生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片技術(shù)的翹楚，主要產(chǎn)品包括高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。還設(shè)計(jì)和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號(hào)
2022-10-31
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磁性存儲(chǔ)器MRAM
磁性存儲(chǔ)器，Magnetic RAM，簡(jiǎn)稱MRAM，是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)。目前主流的MRAM技術(shù)是STT MRAM，使用隧道層的巨磁阻效應(yīng)來(lái)讀取位單
2022-10-24
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