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QDR與DDR SRAM
由賽普拉斯、瑞薩、IDT、NEC和三星公司組成的QDR協(xié)會開發(fā)出了QDR SRAM，旨在通過把性能提升為原先的4倍來滿足那些不僅需要標(biāo)準(zhǔn)ZBT(零總線
2020-03-19
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SuperPro支持MRAM技術(shù)
XeltekSuperPro編程支持EverspinTechnologies，Inc 的并行I OSRAM接口和SPI串行接口MRAM產(chǎn)品。Everspin的用于并行I OSRAM接口和SPI串行接口MRAM產(chǎn)品的Xeltek編程器。
2020-03-17
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MRAM的讀寫能耗均比SRAM小
在關(guān)于5nm嵌入式MRAM的論文中，該模型與5nm節(jié)點相互兼容。對于讀寫操作方面，pMTJ稱訪問延遲分別小于2 5ns和7 1ns。分析表明STT-MRAM滿足了
2020-03-13
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2019年Nand存儲器市場跌幅最大
存儲器市場在2019年占半導(dǎo)體銷售額的26 7％，收入同比下降了31 5％。 在內(nèi)存領(lǐng)域的DRAM收入下降了37 5％，這是由于從2018年底開始一直持續(xù)
2020-03-11
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疫情下DDR3芯片現(xiàn)貨市場行情
春節(jié)前的存儲價格一路高漲，各大存儲廠的庫存壓力逐漸縮小，而市場上的現(xiàn)貨庫存有限導(dǎo)致了許多終端提前備貨。在2月開工的存儲產(chǎn)業(yè)的需求也
2020-03-09
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非易失性MRAM磁性隧道結(jié)技術(shù)
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）架構(gòu)，其中鐵磁材料的磁性狀態(tài)作為數(shù)據(jù)存儲元素。由于MRAM使用磁性狀態(tài)
2020-03-05
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