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國(guó)產(chǎn)靜態(tài)SRAM芯片EMI504WF16
偉凌創(chuàng)芯EMI504WF16是一個(gè)容量4Mbit高速靜態(tài)SRAM存儲(chǔ)器，采用先進(jìn)的CMOS工藝、基于6-TR的電池技術(shù)制造，專為高速電路技術(shù)而設(shè)計(jì)。位寬1
2024-07-22
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2028年嵌入式安全硬件市場(chǎng)將增長(zhǎng)12%
嵌入式安全和數(shù)字認(rèn)證市場(chǎng)在未來(lái)幾年將迎來(lái)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，這主要受到以下幾個(gè)因素的推動(dòng)：威脅增加、新法規(guī)和安全生命周期管理需求。預(yù)計(jì)，
2024-07-09
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靈動(dòng)微單片機(jī)MM32F0144C4Q
靈動(dòng)微單片機(jī)，作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的通用32位MCU產(chǎn)品及解決方案供應(yīng)商，以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域贏得了市場(chǎng)的廣泛認(rèn)可。這款單片機(jī)以M
2024-06-18
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MCU的前景充滿機(jī)遇
MCU的前景看起來(lái)相當(dāng)廣闊且充滿機(jī)遇。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和各類應(yīng)用的日益增多，MCU的需求正持續(xù)增長(zhǎng)。以下是幾個(gè)關(guān)鍵因素，它們共同推
2024-06-14
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何為MRAM？
MRAM是一種非易失性的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，屬于當(dāng)前新型存儲(chǔ)器技術(shù)之一。 從特性上看，MRAM具備讀寫
2024-05-29
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靈動(dòng)微電機(jī)高集成單片機(jī)MM32SPIN560CM
靈動(dòng)微電子MM32SPIN560CM集成100V耐壓6N預(yù)驅(qū)，通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證，使用高性能的Arm®Cortex-M0為內(nèi)核的32位微控制器，最高工作頻率可
2024-05-10
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