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Everspin MRAM增強(qiáng)了RIM智能電表的即時(shí)非易失性
今天介紹Everspin的MR25H40非易失性存儲(chǔ)器MRAM如何在RIM的三相智能電表中提供強(qiáng)大的系統(tǒng)存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)。Everspin的4Mbit MR25H40 MRAM專為需要
2021-04-27
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“缺芯潮”掀起千億級(jí)芯片擴(kuò)產(chǎn)大戰(zhàn)
據(jù)SIA數(shù)據(jù)顯示，2021年1月全球半導(dǎo)體月度銷售額持續(xù)突破前高，達(dá)40 01億美元，整體增速高達(dá)13 05%，銷售額與增速均創(chuàng)2019年以來(lái)的新高。亮
2021-04-26
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Q2內(nèi)閃存價(jià)格都漲價(jià)？
根據(jù)集邦咨詢最新調(diào)查，DRAM存儲(chǔ)芯片價(jià)格已正式進(jìn)入上漲周期，第二季受到終端產(chǎn)品需求持續(xù)暢旺以及資料中心需求回升的帶動(dòng)，買方急欲提高DR
2021-04-25
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多家MCU大廠停止接單/漲價(jià)
據(jù)《國(guó)際電子商情》了解，由于8英寸晶圓代工持續(xù)緊缺，MCU需求依舊強(qiáng)勁導(dǎo)致價(jià)格水漲船高。從2020年第四季度開始，到現(xiàn)在已經(jīng)有多家臺(tái)系MCU
2021-04-23
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在邊緣使用MRAM是其另一個(gè)潛在應(yīng)用
MRAM通過(guò)外加電壓控制的磁體方向來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的每個(gè)bit位。如果電壓低于翻轉(zhuǎn)bit位所需的電壓，則可能只有一位翻轉(zhuǎn)。我們不希望存在這種隨機(jī)性
2021-04-22
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富士通FRAM是如何崛起的？
FRAM鐵電存儲(chǔ)器是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高
2021-04-21
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